 HomeBerhemênAmûrên modulên smart ên pîşesaziyêDDR4 UDIMM Taybetmendiyên Memorle Memory

Têkilî peywendîdar

Mr. Jummary

Peyama xwe bistînin

Têkilî Niha

Hûn dikarin

Waterproofê pîşesaziyê ya ku dawiya xwendina xwendevanan a yekbûyî ya UHF RFID Têkilî Niha

Pîşesaziya Dûr a Dûr a Dûr a Elektronîkî Rfid Reader Têkilî Niha

Full Fit of Amûrên Pîşesaziya Pîşesaziya Pîşesaziya LCD Têkilî Niha

Rêzeya Navîn a Industrial Smart Uhf Têkilî Niha

PORTABLE 7INCH TFT Multifunction Colour E-Reader Têkilî Niha

DDR3 UDIMM Taybetmendiyên Memory Memory Têkilî Niha

DDR4 UDIMM Taybetmendiyên Memorle Memory Têkilî Niha

 

DDR4 UDIMM Taybetmendiyên Memorle Memory

Get Latest Price

Tîpa Paya:

L/C,T/T,D/A

Incoterm:

FOB,CIF,EXW

Min. Emir:

1 Piece/Pieces

Neqlîye:

Ocean,Land,Air,Express

Têkilî Niha

 Now Chat

Product Description

Taybetmendiyên Hilberê
Ilityiyana Pargîdaniyê & Agahdariyên ...
Packaging & Delivery

< >

Overview

Taybetmendiyên Hilberê

Numreya Model: NS08GU4E8

Ilityiyana Pargîdaniyê & Agahdariyên ...

Neqlîye: Ocean,Land,Air,Express

Tîpa Paya: L/C,T/T,D/A

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Packaging & Delivery

Yekîneyên firotanê:: Piece/Pieces

8Gb 2666mhz 288-Pin DDR4 Udimm

Dîroka guhertoyên

Revision No.	History	Draft Date	Remark
1.0	Initial Release	Apr. 2022

Fermana maseya agahdariyê

Model	Density	Speed	Organization	Component Composition
NS08GU4E8	8GB	2666MHz	1Gx64bit	DDR4 1Gx8 *8

Terîf
Hengstar Unbuffered DDR4 SDRAM DIMMS (rêjeya daneya dualî ya bêhempa ya Damezrandina Modulên Memory Double) NS08GU4E8 yek rêzek 1g x 64-bit e SPD ji Jedec standard DDR4-2666 Demjimêra 19-19-19 li 1.2V-ê ye. Her 288-Pin Dimm tiliyên têkiliya zêr bikar tîne. Dimmê SDRAM UNBUFFERED ji bo karanîna wekî bîranîna sereke dema ku di pergalên wekî PC-ê û PC-ê de hatî saz kirin tê xwestin.

Taybetmendiyên
Power Supply: VDD = 1.2V (1.14V ber 1.26V)
VDDQ = 1.2V (1.14V ber 1.26V)
vpp - 2.5V (2.375V ber 2.75V)
VDDSPD = 2.25V ber 3.6V
Termkirina nominal û Dînamîk li ser Dîtinê (ODT) ji bo daneyên, strobe, û nîşanên mask
low-Power Auto Self Refresh (LPASR)
Oversiyayê Oversiya (DBI) ji bo otobusê daneyê
on-die die vrefdq nifş û calibrasyon
Onon-board I2C Presence-Detect (SPD) EEPROM
16 Bankên navxweyî; 4 komên 4 bankan her yek
fixed Burst Chop (BC) OF 4 û BURST LENGHT (BL) of 8 Via The Mode Register Set (MRS)
selectable BC4 an Bl8 li ser-firîn (OTF)
Databus check redundancy cyclic (CRC)
Refreshtemperature Controled Controled (TCR)
 command / Navnîşan (CA) Parity
Navdêriya Dram Dram piştgirî ye
8 bit pêş-fetch
fly-by Topology
mand / Navnîşa Navnîşa (Cal)
Fermandariya kontrolê ya kontrolê û otobusê navnîşê
pcb: Dirêj 1.23 "(31.25mm)
Têkiliyên Edge Ggold
rohls tevlihev û halogen-belaş

Parametreyên Demên Key

MT/s	tCK (ns)	CAS Latency (tCK)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRAS (ns)	tRC (ns)	CL-tRCD-tRP
DDR4-2666	0.75	19	14.25	14.25	32	46.25	19-19-19

Tabela Navnîşan

Configuration	Number of bank groups	Bank Group Address	Bank Address	Row Address	Column Address	Page size
8GB(1Rx8)	4	BG0-BG1	BA0-BA1	A0-A15	A0-A9	1 KB

Diagram bloka fonksiyonel

8 GB, 1GX64 Module (1Rank Of X8)

Not:

1. Bûyerên din ên Nirxandî, nirxên berxwedanê yên din 15ω ± 5% ne.

Risterên 2.zq 240 ω 1% ne.

3.Event_n li ser vê sêwiranê tê xwestin. Dibe ku SPD-ê ya Standalone jî were bikar anîn. No guhertinên wiring ne hewce ne.

Dengên herî bêkêmasî

Dengên herî zêde yên DC

Symbol	Parameter	Rating	Units	NOTE
VDD	Voltage on VDD pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VDDQ	Voltage on VDDQ pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VPP	Voltage on VPP pin relative to VSS	-0.3 ~ 3.0	V	4
VIN, VOUT	Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3,5
TSTG	Storage Temperature	-55 to +100	°C	1,2

Not:

1.stress ji yên ku di bin "dengên bêkêmasî yên bêkêmasî" de hatine destnîşankirin dibe ku bibe sedema zirarê ya domdar a cîhazê.

Ev tenê rêjeyek stresê ye û operasyona fonksiyonel a cîhazê li van an jî mercên din ên li jor ên ku di beşên xebitandinê yên vê diyariyê de hatine destnîşan kirin ne tê imzekirin. Ji bo demên dirêj bandor li ser şertên berbiçav ên herî zêde dibe ku bandor li ser pêbaweriyê bike.

2. Germahiya werzîşê germahiya asta erdê ye ku li ser navendê / jorîn ya dramê ye. Ji bo mercên pîvandinê, ji kerema xwe standarda Jesd51-2 binihêrin.

3.vdd û VDDQ divê di her demê de di nav 300mv de bin; û vrefca divê ji 0,6 x VDDQ mezintir nebe, dema ku VDD û VDDQ ji 500mv kêmtir in; Vrefca dibe ku ji 300mv wekhev an kêmtir be.

4.VPP divê her dem ji VDD / VDDQ-ê wekhev an mezintir be.

5, Devera jorîn 1.5V di operasyona cîhaza DDR4 de tête diyar kirin .

DRAM COMPENT COMPENTATION GEROMATURE

Symbol	Parameter	Rating	Units	Notes
TOPER	Normal Operating Temperature Range	0 to 85	°C	1,2
TOPER	Extended Temperature Range	85 to 95	°C	1,3

Notes:

1. Operating germahiya hewayê germahiya rûyê erdê li ser navendê / jorîn ya dramê ye. Ji bo mercên pîvandinê, ji kerema xwe ji bo Jesd51-2 ya Dokumenta Jedec binêrin.

2. Rêjeya germahiya normal germên ku hemî taybetmendiyên Dram dê piştgirî bikin diyar dike. Di dema operasyonê de, germahiya doza dram divê di navbera hemî mercên xebitandinê de di navbera 0 - 85 ° C de were domandin.

3. Serlêdanên bi serlêdana Dram di navbera germahiya germahiya dirêj de di navbera 85 ° C û 95 ° C û 95 ° C û 85 ° C û 35 ° C û 35 ° C. Taybetmendiyên tevahî di vê rêzê de garantî dikin, lê şertên jêrîn ên jêrîn bicîh dikin:

yek). Fermanên nûvekirinê divê di frekansê de dubare bibin, ji ber vê yekê kêmkirina navberê ya Refresh Trefi to 3.9 μs. Di heman demê de gengaz e ku meriv bi rêjeya germahiya dirêjkirî re parçeyek 1x (Trefi heta 7.8μs) diyar bike. Ji kerema xwe ji bo hebûna vebijarkê li Dimm SPD binihêrin.

B). Ger operasyona xwe-nûvekirinê di nava germahiya dirêjkirî de pêdivî ye, wê hingê ew mecbûrî ye ku hûn bi kapasîteya sînorê germahiya dirêjkirî (Mr2 A6 = 0b û mr2 A7 = 1B) bikar bînin mode (mr2 a6 = 1b û mr2 A7 = 0b).

Conditionsertên xebitandinê AC & DC

Conditionsertên xebitandinê yên DC pêşniyaz kirin

Symbol	Parameter	Rating			Unit	NOTE
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	NOTE
VDD	Supply Voltage	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VDDQ	Supply Voltage for Output	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VPP	Supply Voltage for DRAM Activating	2.375	2.5	2.75	V	3